SUM90P10-19L-E3
উত্পাদক:
সিলিকনিক্স / ভিশাই
বর্ণনা:
MOSFET 100V 90A 375W 19mohm @ 10V
শ্রেণী:
সেমিকন্ডাক্টর
বিশেষ উল্লেখ
ট্রানজিস্টরের পোলারিটি:
পি-চ্যানেল
পণ্য তালিকা:
MOSFET
সাধারণত টার্ন-অন বিলম্বের সময়:
20 এনএস
Pd-শক্তি অপচয়:
375 ওয়াট
ভিজিএস-গেট-সোর্স ভোল্টেজ:
-20 V, + 20 V
ন্যূনতম কাজের তাপমাত্রা:
-55 সে
প্যাকেজ:
রিল
বাণিজ্যিক নাম:
ট্রেঞ্চএফইটি
পতনের সময়:
870 এনএস
নির্মাতা:
সিলিকনিক্স/বিষয়
ফ্যাক্টরি প্যাকিং পরিমাণ:
800
সাধারণত টার্ন-অফ বিলম্বের সময়:
145 এনএস
কনফিগারেশন:
একক
পণ্যের ধরন:
MOSFET
ফরোয়ার্ড ট্রান্সকন্ডাক্টেন্স-ন্যূনতম:
80 এস
সর্বোচ্চ কাজের তাপমাত্রা:
+ 175 সে
সময় বৃদ্ধি:
510 এনএস
চ্যানেলের সংখ্যা:
1 চ্যানেল
ট্রেডমার্ক:
বিষয় সেমিকন্ডাক্টরস
Qg-গেট চার্জ:
217 nC
আইডি ক্রমাগত ড্রেন কারেন্ট:
90 ক
ট্রানজিস্টরের ধরন:
1 পি-চ্যানেল
ইনস্টলেশন শৈলী:
এসএমডি/এসএমটি
প্যাকেজ/বক্স:
TO-263-3
চ্যানেল মোড:
বর্ধন
প্রযুক্তি:
সি
ভিডিএস-ড্রেন-সোর্স ব্রেকডাউন ভোল্টেজ:
100 ভি
সিরিজ:
মোট
প্রতিরোধের উপর Rds অন-ড্রেন-উৎস:
19 mOhms
ভিজিএস থ- গেট-সোর্স থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ:
1 ভি
পরিচিতি
সিলিকনিক্স/ভিসাই থেকে এসইউএম৯০পি১০-১৯এল-ই৩ একটি এমওএসএফইটি। আমরা যা অফার করছি তা বৈশ্বিক বাজারে প্রতিযোগিতামূলক দামের, যা মূল এবং নতুন অংশে রয়েছে।আপনি যদি পণ্য সম্পর্কে আরও জানতে চান অথবা কম দামের জন্য আবেদন করতে চান, দয়া করে আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন অনলাইন চ্যাটের মাধ্যমে অথবা আমাদের একটি উদ্ধৃতি পাঠান!
Related Products
SQJ974EP-T1_GE3
MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
SIR871DP-T1-GE3
MOSFET P Ch -100Vds 20Vgs
SUM70060E-GE3
MOSFET 100V Vds 131A Id 0.0056Vgs Rds(On)
SQJ479EP-T1_GE3
MOSFET P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
SIR680DP-T1-RE3
MOSFET N-Channel 80V PowerPAK SO-8
SQ2361ES-T1_GE3
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
SUM10250E-GE3
MOSFET N Ch 250Vds 20Vgs
SI7972DP-T1-GE3
MOSFET Dual N-Ch 30V Vds 7.1nC Qg Typ
SIR610DP-T1-RE3
MOSFET 200V PowerPAK SO-8 Typ Rds(on) 24mohm
SQJ457EP-T1_GE3
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
| ছবি | অংশ # | বর্ণনা | |
|---|---|---|---|
|
|
SQJ974EP-T1_GE3 |
MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
|
|
|
|
SIR871DP-T1-GE3 |
MOSFET P Ch -100Vds 20Vgs
|
|
|
|
SUM70060E-GE3 |
MOSFET 100V Vds 131A Id 0.0056Vgs Rds(On)
|
|
|
|
SQJ479EP-T1_GE3 |
MOSFET P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
|
|
|
|
SIR680DP-T1-RE3 |
MOSFET N-Channel 80V PowerPAK SO-8
|
|
|
|
SQ2361ES-T1_GE3 |
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
|
|
|
|
SUM10250E-GE3 |
MOSFET N Ch 250Vds 20Vgs
|
|
|
|
SI7972DP-T1-GE3 |
MOSFET Dual N-Ch 30V Vds 7.1nC Qg Typ
|
|
|
|
SIR610DP-T1-RE3 |
MOSFET 200V PowerPAK SO-8 Typ Rds(on) 24mohm
|
|
|
|
SQJ457EP-T1_GE3 |
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
|
RFQ পাঠান
স্টক:
MOQ: