FCD850N80Z
উত্পাদক:
ওএনএসইএমআই
বর্ণনা:
MOSFET SuperFET2 800V 850mOhm জেনার
শ্রেণী:
সেমিকন্ডাক্টর
বিশেষ উল্লেখ
ট্রানজিস্টরের পোলারিটি:
এন-চ্যানেল
প্রযুক্তি:
সি
আইডি - ক্রমাগত ড্রেন কারেন্ট:
6 ক
মাউন্ট শৈলী:
এসএমডি/এসএমটি
বাণিজ্যিক নাম:
SuperFET II
ন্যূনতম অপারেটিং তাপমাত্রা:
- 55 সে
প্যাকেজ / কেস:
TO-252-3
সর্বোচ্চ অপারেটিং তাপমাত্রা:
+ 150 সে
চ্যানেল মোড:
বর্ধন
Vds - ড্রেন-উৎস ব্রেকডাউন ভোল্টেজ:
800 ভি
প্যাকেজ:
রিল
Vgs th - গেট-উৎস থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ:
2.5 ভি
পণ্য তালিকা:
MOSFET
Rds অন - ড্রেন-উৎস প্রতিরোধ:
850 mOhms
চ্যানেলের সংখ্যা:
1 চ্যানেল
Vgs - গেট-উৎস ভোল্টেজ:
20 ভি
Qg - গেট চার্জ:
22 nC
নির্মাতা:
আধা
পরিচিতি
এফসিডি৮৫০এন৮০জেড,অনসেমি থেকে,মোসফেট। আমরা যা অফার করি তা বৈশ্বিক বাজারে প্রতিযোগিতামূলক মূল্যের,যা মূল এবং নতুন অংশে রয়েছে।আপনি যদি পণ্য সম্পর্কে আরও জানতে চান অথবা কম দামের জন্য আবেদন করতে চান, দয়া করে আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন অনলাইন চ্যাটের মাধ্যমে অথবা আমাদের একটি উদ্ধৃতি পাঠান!
সম্পর্কিত পণ্য
NTMFS4C022NT1G
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
2N7002WT1G
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C
FQP13N50C
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
NTMFS5C430NLT1G
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
NTF2955T1G
MOSFET -60V 2.6A P-Channel
FDS3992
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
FCP22N60N
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
ATP106-TL-H
MOSFET SWITCHING DEVICE
BVSS123LT1G
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
FDS6576
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
| ছবি | অংশ # | বর্ণনা | |
|---|---|---|---|
|
|
NTMFS4C022NT1G |
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
|
|
|
|
2N7002WT1G |
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C
|
|
|
|
FQP13N50C |
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
|
|
|
|
NTMFS5C430NLT1G |
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
|
|
|
|
NTF2955T1G |
MOSFET -60V 2.6A P-Channel
|
|
|
|
FDS3992 |
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
|
|
|
|
FCP22N60N |
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
|
|
|
|
ATP106-TL-H |
MOSFET SWITCHING DEVICE
|
|
|
|
BVSS123LT1G |
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
|
|
|
|
FDS6576 |
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
|
RFQ পাঠান
স্টক:
MOQ: