আইপিডি২৫এন০৬এস৪এল-৩০
উত্পাদক:
ইনফিনিয়ন টেকনোলজিস
বর্ণনা:
MOSFET N-Ch 60V 25A DPAK-2 OptiMOS-T2
শ্রেণী:
সেমিকন্ডাক্টর
বিশেষ উল্লেখ
পণ্য তালিকা:
MOSFET
আইডি - ক্রমাগত ড্রেন কারেন্ট:
25 ক
Pd - শক্তি অপচয়:
29 W
Vds - ড্রেন-উৎস ব্রেকডাউন ভোল্টেজ:
60 ভি
প্যাকেজ:
টেপ এবং রিল (TR)
Vgs th - গেট-উৎস থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ:
1.2 ভি
প্যাকেজ:
TO-252
Rds অন - ড্রেন-উৎস প্রতিরোধ:
23 mOhms
RoHS:
সবুজ পাওয়া যায়
ফ্যাক্টরি প্যাক পরিমাণ:
2500
Vgs - গেট-উৎস ভোল্টেজ:
- 16 V, + 16 V
Qg - গেট চার্জ:
16.3 nC
নির্মাতা:
ইনফাইনন টেকনোলজিস
পরিচিতি
ইনফাইনন টেকনোলজিসের আইপিডি২৫এন০৬এস৪এল-৩০ একটি মোসফেট মেশিন। আমরা বিশ্ববাজারে প্রতিযোগিতামূলক দামের পণ্য সরবরাহ করি।আপনি যদি পণ্য সম্পর্কে আরও জানতে চান অথবা কম দামের জন্য আবেদন করতে চান, দয়া করে আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন অনলাইন চ্যাটের মাধ্যমে অথবা আমাদের একটি উদ্ধৃতি পাঠান!
Related Products
IPA60R380E6
MOSFET N-Ch 650V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6
BSC039N06NS
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8
IPD75N04S4-06
MOSFET N-Ch 40V 75A DPAK-2 OptiMOS-T2
BSC011N03LSI
MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
IPW65R150CFD
MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO247-3
আইপিপি৬০আর০৯৯সি৬
MOSFET N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6
IPW65R110CFD
MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2
IPL65R230C7
MOSFET N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
BSC0906NS
MOSFET N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS
BSZ097N10NS5
MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8
| ছবি | অংশ # | বর্ণনা | |
|---|---|---|---|
|
|
IPA60R380E6 |
MOSFET N-Ch 650V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6
|
|
|
|
BSC039N06NS |
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8
|
|
|
|
IPD75N04S4-06 |
MOSFET N-Ch 40V 75A DPAK-2 OptiMOS-T2
|
|
|
|
BSC011N03LSI |
MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
|
|
|
|
IPW65R150CFD |
MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO247-3
|
|
|
|
আইপিপি৬০আর০৯৯সি৬ |
MOSFET N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6
|
|
|
|
IPW65R110CFD |
MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2
|
|
|
|
IPL65R230C7 |
MOSFET N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
|
|
|
|
BSC0906NS |
MOSFET N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS
|
|
|
|
BSZ097N10NS5 |
MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8
|
RFQ পাঠান
স্টক:
MOQ: