IXFK200N10P
উত্পাদক:
IXYS
বর্ণনা:
MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
শ্রেণী:
সেমিকন্ডাক্টর
বিশেষ উল্লেখ
ট্রানজিস্টরের পোলারিটি:
এন-চ্যানেল
প্রযুক্তি:
সি
আইডি - ক্রমাগত ড্রেন কারেন্ট:
200 এ
মাউন্ট শৈলী:
গর্তের মধ্য দিয়ে
বাণিজ্যিক নাম:
পোলার, হাইপারফেট
ন্যূনতম অপারেটিং তাপমাত্রা:
- 55 সে
প্যাকেজ / কেস:
TO-264-3
সর্বোচ্চ অপারেটিং তাপমাত্রা:
+ 175 সে
চ্যানেল মোড:
বর্ধন
Vds - ড্রেন-উৎস ব্রেকডাউন ভোল্টেজ:
100 ভি
প্যাকেজ:
টিউব
Vgs th - গেট-উৎস থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ:
5 ভি
পণ্য তালিকা:
MOSFET
Rds অন - ড্রেন-উৎস প্রতিরোধ:
7.5 mOhms
চ্যানেলের সংখ্যা:
1 চ্যানেল
Vgs - গেট-উৎস ভোল্টেজ:
20 ভি
Qg - গেট চার্জ:
235 nC
নির্মাতা:
IXYS
পরিচিতি
IXYS-এর IXFK200N10P হল একটি MOSFET। আমরা যা অফার করি তা হল বিশ্ব বাজারে প্রতিযোগিতামূলক মূল্য, যা মূল এবং নতুন অংশে রয়েছে।আপনি যদি পণ্য সম্পর্কে আরও জানতে চান অথবা কম দামের জন্য আবেদন করতে চান, দয়া করে আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন অনলাইন চ্যাটের মাধ্যমে অথবা আমাদের একটি উদ্ধৃতি পাঠান!
Related Products
IXFR64N60Q3
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A
IXTT20N50D
MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds
IXTQ50N25T
MOSFET 50Amps 250V
IXFP34N65X2
MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
IXFH36N60P
MOSFET 600V 36A
IXFK100N65X2
MOSFET MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
IXTT110N10L2
MOSFET Linear Extended FBSOA Power MOSFET
IXFK44N80P
MOSFET 44 Amps 800V
IXFN520N075T2
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
IXFH23N80Q
MOSFET 23 Amps 800V 0.40 Rds
| ছবি | অংশ # | বর্ণনা | |
|---|---|---|---|
|
|
IXFR64N60Q3 |
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A
|
|
|
|
IXTT20N50D |
MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds
|
|
|
|
IXTQ50N25T |
MOSFET 50Amps 250V
|
|
|
|
IXFP34N65X2 |
MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
|
|
|
|
IXFH36N60P |
MOSFET 600V 36A
|
|
|
|
IXFK100N65X2 |
MOSFET MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
|
|
|
|
IXTT110N10L2 |
MOSFET Linear Extended FBSOA Power MOSFET
|
|
|
|
IXFK44N80P |
MOSFET 44 Amps 800V
|
|
|
|
IXFN520N075T2 |
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
|
|
|
|
IXFH23N80Q |
MOSFET 23 Amps 800V 0.40 Rds
|
RFQ পাঠান
স্টক:
MOQ: