FMY-1106S
উত্পাদক:
সানকেন ইলেকট্রিক ইউএসএ ইনক।
বর্ণনা:
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
শ্রেণী:
বিচ্ছিন্ন সেমিকন্ডাক্টর পণ্য
বিশেষ উল্লেখ
Category:
Discrete Semiconductor Products
Diodes
Rectifiers
Single Diodes
Product Status:
Obsolete
Current - Reverse Leakage @ Vr:
30 µA @ 600 V
Mounting Type:
Through Hole
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
1.15 V @ 10 A
Package:
Tube
Series:
-
Capacitance @ Vr, F:
-
Supplier Device Package:
TO-220F-2L
Reverse Recovery Time (trr):
200 ns
এমএফআর:
সানকেন ইলেকট্রিক ইউএসএ ইনক।
Technology:
Standard
অপারেটিং তাপমাত্রা - জংশন:
-40°C ~ 150°C
Package / Case:
TO-220-2 Full Pack
ভোল্টেজ - DC বিপরীত (Vr) (সর্বোচ্চ):
600 ভি
Current - Average Rectified (Io):
10A
গতি:
দ্রুত পুনরুদ্ধার =< 500ns, > 200mA (Io)
পরিচিতি
ডিওড ৬০০ ভি ১০ এ হোলের মধ্য দিয়ে TO-২২০এফ-২এল
সম্পর্কিত পণ্য
SJPB-H9VL
DIODE SCHOTTKY 90V 2A SJP
SJPL-H2VL
DIODE GEN PURP 200V 2A SJP
SJPB-H6VR
DIODE SCHOTTKY 60V 2A SJP
এফডিডি-জি২৬এস
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
SARS01V1
DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL
SJPX-F2VR
DIODE GEN PURP 200V 1.5A SJP
SARS05VL
DIODE GEN PURP 800V 1A SMD
| ছবি | অংশ # | বর্ণনা | |
|---|---|---|---|
|
|
SJPB-H9VL |
DIODE SCHOTTKY 90V 2A SJP
|
|
|
|
SJPL-H2VL |
DIODE GEN PURP 200V 2A SJP
|
|
|
|
SJPB-H6VR |
DIODE SCHOTTKY 60V 2A SJP
|
|
|
|
এফডিডি-জি২৬এস |
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
|
|
|
|
SARS01V1 |
DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL
|
|
|
|
SJPX-F2VR |
DIODE GEN PURP 200V 1.5A SJP
|
|
|
|
SARS05VL |
DIODE GEN PURP 800V 1A SMD
|
RFQ পাঠান
স্টক:
MOQ: