IRFB4227PBF
উত্পাদক:
ইনফিনিয়ন টেকনোলজিস
বর্ণনা:
MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
শ্রেণী:
বিচ্ছিন্ন সেমিকন্ডাক্টর পণ্য
বিশেষ উল্লেখ
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 250µA
Operating Temperature:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
98 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
24mOhm @ 46A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
200 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
4600 pF @ 25 V
মাউন্ট টাইপ:
গর্তের মধ্য দিয়ে
Series:
HEXFET®
সরবরাহকারীর ডিভাইস প্যাকেজ:
TO-220AB
Mfr:
Infineon Technologies
বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25° সে:
65A (Tc)
Power Dissipation (Max):
330W (Tc)
প্রযুক্তি:
MOSFET (ধাতু অক্সাইড)
Base Product Number:
IRFB4227
পরিচিতি
N-Channel 200 V 65A (Tc) 330W (Tc) হোলের মাধ্যমে TO-220AB
RFQ পাঠান
স্টক:
MOQ: