বার্তা পাঠান

SI7157DP-T1-GE3

উত্পাদক:
ভিশাই সিলিকনিক্স
বর্ণনা:
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
শ্রেণী:
বিচ্ছিন্ন সেমিকন্ডাক্টর পণ্য
বিশেষ উল্লেখ
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET বৈশিষ্ট্য:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.4V @ 250µA
অপারেটিং তাপমাত্রা:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
PowerPAK® SO-8
গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস:
625 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
1.6mOhm @ 25A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
2.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
20 V
Vgs (Max):
±12V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
22000 pF @ 10 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
PowerPAK® SO-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
60A (Tc)
Power Dissipation (Max):
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI7157
পরিচিতি
P-Channel 20 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) সারফেস মাউন্ট PowerPAK® SO-8
RFQ পাঠান
স্টক:
MOQ: