বার্তা পাঠান

IXFN70N60Q2

উত্পাদক:
IXYS
বর্ণনা:
MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B
শ্রেণী:
বিচ্ছিন্ন সেমিকন্ডাক্টর পণ্য
বিশেষ উল্লেখ
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 8mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
SOT-227-4, miniBLOC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
265 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
80mOhm @ 35A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
600 V
Vgs (Max):
±30V
পণ্যের অবস্থা:
নতুন ডিজাইনের জন্য নয়
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
7200 pF @ 25 V
মাউন্ট টাইপ:
চ্যাসিস মাউন্ট
Series:
HiPerFET™, Q2 Class
সরবরাহকারীর ডিভাইস প্যাকেজ:
SOT-227B
Mfr:
IXYS
বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25° সে:
70A (Tc)
Power Dissipation (Max):
890W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXFN70
পরিচিতি
N-Channel 600 V 70A (Tc) 890W (Tc) চ্যাসি মাউন্ট SOT-227B
RFQ পাঠান
স্টক:
MOQ: