FCP36N60N
উত্পাদক:
ওএনএসইএমআই
বর্ণনা:
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPREMO
শ্রেণী:
বিচ্ছিন্ন সেমিকন্ডাক্টর পণ্য
বিশেষ উল্লেখ
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
112 nC @ 10 V
Product Status:
Active
Mounting Type:
Through Hole
Package:
Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
4785 pF @ 100 V
Series:
SupreMOS™
Vgs (Max):
±30V
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Supplier Device Package:
TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
90mOhm @ 18A, 10V
Mfr:
onsemi
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Power Dissipation (Max):
312W (Tc)
প্যাকেজ / কেস:
TO-220-3
Drain to Source Voltage (Vdss):
600 V
বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25° সে:
৩৬এ (টিসি)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
FET বৈশিষ্ট্য:
-
পরিচিতি
N-Channel 600 V 36A (Tc) 312W (Tc) গর্তের মাধ্যমে TO-220-3
RFQ পাঠান
স্টক:
MOQ: