বার্তা পাঠান

FQD12N20LTM

উত্পাদক:
ওএনএসইএমআই
বর্ণনা:
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
শ্রেণী:
সেমিকন্ডাক্টর
বিশেষ উল্লেখ
পণ্য তালিকা:
MOSFET
ভিজিএস (সর্বোচ্চ):
±20V
বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25° সে:
9A (Tc)
@ পরিমাণ:
0
FET প্রকার:
এন-চ্যানেল
মাউন্ট টাইপ:
পৃষ্ঠের মাউন্ট
গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস:
21nC @ 5V
নির্মাতা:
আধা
ন্যূনতম পরিমাণ:
2500
ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বোচ্চ Rds চালু, সর্বনিম্ন Rds চালু):
5V, 10V
কারখানার স্টক:
5000
অপারেটিং তাপমাত্রা:
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET বৈশিষ্ট্য:
-
সিরিজ:
QFET®
ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds:
1080pF @ 25V
সরবরাহকারীর ডিভাইস প্যাকেজ:
ডি-পাক
পার্ট স্ট্যাটাস:
সক্রিয়
প্যাকেজ:
টেপ এবং রিল (TR)
Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস:
280 mOhm @ 4.5A, 10V
শক্তি অপচয় (সর্বোচ্চ):
2.5W (Ta), 55W (Tc)
প্যাকেজ / কেস:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
প্রযুক্তি:
MOSFET (ধাতু অক্সাইড)
Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি:
2V @ 250µA
ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss):
200V
পরিচিতি
FQD12N20LTM,অনসেমি থেকে,মোসফেট. আমরা যা অফার করি তা বিশ্ব বাজারে প্রতিযোগিতামূলক মূল্য আছে,যা মূল এবং নতুন অংশে রয়েছে।আপনি যদি পণ্য সম্পর্কে আরও জানতে চান অথবা কম দামের জন্য আবেদন করতে চান, দয়া করে আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন অনলাইন চ্যাটের মাধ্যমে অথবা আমাদের একটি উদ্ধৃতি পাঠান!
RFQ পাঠান
স্টক:
MOQ: