FDG6304P
উত্পাদক:
ওএনএসইএমআই
বর্ণনা:
MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC70-6
শ্রেণী:
সেমিকন্ডাক্টর
বিশেষ উল্লেখ
সরবরাহকারীর ডিভাইস প্যাকেজ:
SC-70-6
পণ্য তালিকা:
MOSFET
কারখানার স্টক:
0
ন্যূনতম পরিমাণ:
3000
ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds:
62pF @ 10V
প্যাকেজ / কেস:
6-টিএসএসওপি, এসসি-88, এসওটি-363
পার্ট স্ট্যাটাস:
সক্রিয়
বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25° সে:
410mA
প্যাকেজ:
টেপ এবং রিল (TR)
@ পরিমাণ:
0
অপারেটিং তাপমাত্রা:
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET প্রকার:
2 পি-চ্যানেল (দ্বৈত)
FET বৈশিষ্ট্য:
লজিক লেভেল গেট
ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss):
25V
মাউন্ট টাইপ:
পৃষ্ঠের মাউন্ট
গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস:
1.5nC @ 4.5V
Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস:
1.1 ওহম @ 410mA, 4.5V
শক্তি - সর্বোচ্চ:
300 মেগাওয়াট
Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি:
1.5V @ 250µA
সিরিজ:
-
নির্মাতা:
আধা
পরিচিতি
FDG6304P, onsemi থেকে, MOSFET.what আমরা বিশ্ব বাজারে প্রতিযোগিতামূলক মূল্য আছে অফার, যা মূল এবং নতুন অংশ হয়.আপনি যদি পণ্য সম্পর্কে আরও জানতে চান অথবা কম দামের জন্য আবেদন করতে চান, দয়া করে আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন অনলাইন চ্যাটের মাধ্যমে অথবা আমাদের একটি উদ্ধৃতি পাঠান!
Related Products
NTMFS4C022NT1G
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
2N7002WT1G
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C
FQP13N50C
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
NTMFS5C430NLT1G
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
NTF2955T1G
MOSFET -60V 2.6A P-Channel
FDS3992
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
FCP22N60N
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
ATP106-TL-H
MOSFET SWITCHING DEVICE
BVSS123LT1G
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
FDS6576
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
| ছবি | অংশ # | বর্ণনা | |
|---|---|---|---|
|
|
NTMFS4C022NT1G |
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
|
|
|
|
2N7002WT1G |
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C
|
|
|
|
FQP13N50C |
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
|
|
|
|
NTMFS5C430NLT1G |
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
|
|
|
|
NTF2955T1G |
MOSFET -60V 2.6A P-Channel
|
|
|
|
FDS3992 |
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
|
|
|
|
FCP22N60N |
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
|
|
|
|
ATP106-TL-H |
MOSFET SWITCHING DEVICE
|
|
|
|
BVSS123LT1G |
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
|
|
|
|
FDS6576 |
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
|
RFQ পাঠান
স্টক:
MOQ: