FDS9958
উত্পাদক:
ওএনএসইএমআই
বর্ণনা:
MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SO
শ্রেণী:
সেমিকন্ডাক্টর
বিশেষ উল্লেখ
সরবরাহকারীর ডিভাইস প্যাকেজ:
৮-এসওআইসি
পণ্য তালিকা:
MOSFET
কারখানার স্টক:
0
ন্যূনতম পরিমাণ:
2500
ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds:
1020pF @ 30V
প্যাকেজ / কেস:
8-SOIC (0.154", 3.90mm প্রস্থ)
পার্ট স্ট্যাটাস:
সক্রিয়
বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25° সে:
2.9A
প্যাকেজ:
টেপ এবং রিল (TR)
@ পরিমাণ:
0
অপারেটিং তাপমাত্রা:
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET প্রকার:
2 পি-চ্যানেল (দ্বৈত)
FET বৈশিষ্ট্য:
লজিক লেভেল গেট
ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss):
৬০ ভোল্ট
মাউন্ট টাইপ:
পৃষ্ঠের মাউন্ট
গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস:
23nC @ 10V
Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস:
105 mOhm @ 2.9A, 10V
শক্তি - সর্বোচ্চ:
900mW
Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি:
3V @ 250µA
সিরিজ:
পাওয়ারট্রেঞ্চ®
নির্মাতা:
আধা
পরিচিতি
এফডিএস৯৯৫৮,অনসেমি থেকে,মোসফেট। আমরা যা অফার করি তা বৈশ্বিক বাজারে প্রতিযোগিতামূলক মূল্যের,যা মূল এবং নতুন অংশে রয়েছে।আপনি যদি পণ্য সম্পর্কে আরও জানতে চান অথবা কম দামের জন্য আবেদন করতে চান, দয়া করে আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন অনলাইন চ্যাটের মাধ্যমে অথবা আমাদের একটি উদ্ধৃতি পাঠান!
সম্পর্কিত পণ্য
NTMFS4C022NT1G
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
2N7002WT1G
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C
FQP13N50C
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
NTMFS5C430NLT1G
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
NTF2955T1G
MOSFET -60V 2.6A P-Channel
FDS3992
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
FCP22N60N
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
ATP106-TL-H
MOSFET SWITCHING DEVICE
BVSS123LT1G
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
FDS6576
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
| ছবি | অংশ # | বর্ণনা | |
|---|---|---|---|
|
|
NTMFS4C022NT1G |
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
|
|
|
|
2N7002WT1G |
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C
|
|
|
|
FQP13N50C |
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
|
|
|
|
NTMFS5C430NLT1G |
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
|
|
|
|
NTF2955T1G |
MOSFET -60V 2.6A P-Channel
|
|
|
|
FDS3992 |
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
|
|
|
|
FCP22N60N |
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
|
|
|
|
ATP106-TL-H |
MOSFET SWITCHING DEVICE
|
|
|
|
BVSS123LT1G |
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
|
|
|
|
FDS6576 |
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
|
RFQ পাঠান
স্টক:
MOQ: