FDD5614P
উত্পাদক:
ওএনএসইএমআই
বর্ণনা:
MOSFET P-CH 60V 15A DPAK
শ্রেণী:
সেমিকন্ডাক্টর
বিশেষ উল্লেখ
পণ্য তালিকা:
MOSFET
ভিজিএস (সর্বোচ্চ):
±20V
বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25° সে:
15A (Ta)
@ পরিমাণ:
0
FET প্রকার:
পি-চ্যানেল
মাউন্ট টাইপ:
পৃষ্ঠের মাউন্ট
গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস:
24nC @ 10V
নির্মাতা:
আধা
ন্যূনতম পরিমাণ:
2500
ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বোচ্চ Rds চালু, সর্বনিম্ন Rds চালু):
4.5V, 10V
কারখানার স্টক:
0
অপারেটিং তাপমাত্রা:
-55°C ~ 175°C (TJ)
FET বৈশিষ্ট্য:
-
সিরিজ:
পাওয়ারট্রেঞ্চ®
ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds:
759pF @ 30V
সরবরাহকারীর ডিভাইস প্যাকেজ:
TO-252
পার্ট স্ট্যাটাস:
সক্রিয়
প্যাকেজ:
টেপ এবং রিল (TR)
Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস:
100 mOhm @ 4.5A, 10V
শক্তি অপচয় (সর্বোচ্চ):
3.8W (Ta), 42W (Tc)
প্যাকেজ / কেস:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
প্রযুক্তি:
MOSFET (ধাতু অক্সাইড)
Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি:
3V @ 250µA
ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss):
৬০ ভোল্ট
পরিচিতি
এফডিডি৫৬১৪পি,অনসেমি থেকে,মোসফেট। আমরা যা অফার করি তা বিশ্ববাজারে প্রতিযোগিতামূলক মূল্যের,যা মূল এবং নতুন অংশে রয়েছে।আপনি যদি পণ্য সম্পর্কে আরও জানতে চান অথবা কম দামের জন্য আবেদন করতে চান, দয়া করে আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন অনলাইন চ্যাটের মাধ্যমে অথবা আমাদের একটি উদ্ধৃতি পাঠান!
সম্পর্কিত পণ্য
NTMFS4C022NT1G
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
2N7002WT1G
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C
FQP13N50C
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
NTMFS5C430NLT1G
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
NTF2955T1G
MOSFET -60V 2.6A P-Channel
FDS3992
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
FCP22N60N
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
ATP106-TL-H
MOSFET SWITCHING DEVICE
BVSS123LT1G
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
FDS6576
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
| ছবি | অংশ # | বর্ণনা | |
|---|---|---|---|
|
|
NTMFS4C022NT1G |
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
|
|
|
|
2N7002WT1G |
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C
|
|
|
|
FQP13N50C |
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
|
|
|
|
NTMFS5C430NLT1G |
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
|
|
|
|
NTF2955T1G |
MOSFET -60V 2.6A P-Channel
|
|
|
|
FDS3992 |
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
|
|
|
|
FCP22N60N |
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
|
|
|
|
ATP106-TL-H |
MOSFET SWITCHING DEVICE
|
|
|
|
BVSS123LT1G |
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
|
|
|
|
FDS6576 |
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
|
RFQ পাঠান
স্টক:
MOQ: