IRF730PBF
উত্পাদক:
ভিশাই সিলিকনিক্স
বর্ণনা:
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
শ্রেণী:
বিচ্ছিন্ন সেমিকন্ডাক্টর পণ্য
বিশেষ উল্লেখ
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
38 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
1Ohm @ 3.3A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
400 V
Vgs (Max):
±20V
পণ্যের অবস্থা:
সক্রিয়
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
700 pF @ 25 V
মাউন্ট টাইপ:
গর্তের মধ্য দিয়ে
Series:
-
সরবরাহকারীর ডিভাইস প্যাকেজ:
TO-220AB
Mfr:
Vishay Siliconix
বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25° সে:
5.5A (Tc)
Power Dissipation (Max):
74W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IRF730
পরিচিতি
এন-চ্যানেল 400 V 5.5A (Tc) 74W (Tc) গর্তের মাধ্যমে TO-220AB
সম্পর্কিত পণ্য
2N7002E-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
SIR872ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
SI7148DP-T1-E3
MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
SI7157DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
IRFP21N60LPBF
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
SIR880ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SIR873DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
SIJ478DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SUD50N04-8M8P-4GE3
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
SISA72DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
| ছবি | অংশ # | বর্ণনা | |
|---|---|---|---|
|
|
2N7002E-T1-E3 |
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
|
|
|
|
SIR872ADP-T1-RE3 |
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
|
|
|
|
SI7148DP-T1-E3 |
MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
|
|
|
|
SI7157DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
|
|
|
|
IRFP21N60LPBF |
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
|
|
|
|
SIR880ADP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
|
|
|
|
SIR873DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
|
|
|
|
SIJ478DP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
|
|
|
|
SUD50N04-8M8P-4GE3 |
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
|
|
|
|
SISA72DN-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
|
RFQ পাঠান
স্টক:
MOQ:
