বার্তা পাঠান

SI5418DU-T1-GE3

উত্পাদক:
ভিশাই সিলিকনিক্স
বর্ণনা:
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
শ্রেণী:
বিচ্ছিন্ন সেমিকন্ডাক্টর পণ্য
বিশেষ উল্লেখ
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
PowerPAK® ChipFET™ Single
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
30 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
14.5mOhm @ 7.7A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1350 pF @ 15 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
PowerPAK® ChipFET™ Single
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
12A (Tc)
Power Dissipation (Max):
3.1W (Ta), 31W (Tc)
প্রযুক্তি:
MOSFET (ধাতু অক্সাইড)
Base Product Number:
SI5418
পরিচিতি
এন-চ্যানেল 30 ভোল্ট 12 এ (টিসি) 3.1W (টিএ), 31W (টিসি) সারফেস মাউন্ট পাওয়ারপ্যাক® চিপফেটTM একক
RFQ পাঠান
স্টক:
MOQ: